随着导电型SiC衬底的逐渐量产,对工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。特别是缺陷的控制,炉内热场微小的调整或漂移,都会带来晶体的变化或缺陷的增加。
后期,更要面临“长快、长厚、长大”的挑战,除了理论和工程的提高外,还需要更先进的热场材料作为支撑。使用先进材料,长先进晶体。
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全球首发,新一代SiC晶体生长用材料来了 |
作者 huang, Mia|发布日期 2023 年 04 月 28 日 17:20 | 分类 碳化硅SiC |