4月1日，意法半导体重磅宣布与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议，双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。 source：意法半导体中国 技术方面，两家厂商的合作致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。...  [详内文]

近年来，氮化镓（GaN）半导体技术因其高效率、高功率密度和耐高温特性，在电力电子、射频通信及新能源领域的重要性日益凸显。氮化镓领域的企业间的技术合作与战略并购也逐渐成为行业发展的新常态。 3月27日，日本三垦电气株式会社（Sanken Electric）宣布，在董事会会议上决定以...  [详内文]

全球半导体竞争进入材料革命的新阶段，第三代半导体重要性日益突出，其中，氮化镓正成为冉冉升起的新星，应用范围不断扩展，车规级氮化镓隐隐有爆发的态势，推动英诺赛科等厂商业绩上涨，也吸引相关厂商持续布局。 英诺赛科最新业绩出炉，车规级氮化镓交付量增长986.7% 近日，氮化镓龙头企业英...  [详内文]

日本住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric）近日宣布，其与大阪公立大学的研究团队在功率半导体领域取得重大突破——成功在直径两英寸的多晶金刚石（PCD）基板上研制出高性能氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管。 该创新成果通过革命性散热架构设计，将器件热阻降至传统硅基...  [详内文]

据九峰山实验室3月22日消息，九峰山实验室的科研团队在全球首创性地实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备，这一成果不仅标志着我国在半导体材料领域的重大进步，更为未来诸多前沿技术的发展奠定了坚实基础。 1、技术突破：氮极性氮化镓材料的制备 ...  [详内文]

海创集团官微消息，近日，润新微电子集团有限公司与大连海创集团有限公司下属建设发展公司正式达成战略合作，宣布入驻黄泥川智能制造产业园。 上述项目是第三代半导体氮化镓外延材料和电子元器件研发与产业化的重要基地总建筑面积6238.38平方米，同时配套有占地面积2966.6平方米的附属设...  [详内文]