相关资讯:SiC碳化硅

SiC新贵披露:2025年底8英寸SiC长晶炉将扩增至百台

作者 |发布日期 2025 年 06 月 03 日 9:25 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
中国台湾SiC厂商#格棋化合物半导体 近期透露了旗下SiC项目建设进展。目前,格棋正积极部署8英寸SiC晶圆产能,预计至2025年底,8英寸SiC长晶炉将扩增至百台规模,并将正式进军日本、欧洲与北美等国际市场,进一步强化全球战略布局。 据官网资料显示,格棋成立于2022年,公司长...  [详内文]

牡丹江高性能碳化硅项目一期投产,二期剑指高端市场

作者 |发布日期 2025 年 05 月 30 日 16:41 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日,牡丹江高性能碳化硅新材料陶瓷制品项目一期工程正式竣工并顺利投产,标志着牡丹江在碳化硅产业高质量发展上迈出了坚实一步。该项目由#国家电投集团山东能源发展有限公司 与#上海亿棵竹实业集团有限公司 共同投资建设,有力推动了牡丹江乃至全省碳化硅行业实现产业升级,并助力当地经济高质量...  [详内文]

超200亿+50亿,两大碳化硅项目迎来重大进展!

作者 |发布日期 2025 年 05 月 29 日 14:00 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
5月末,我国碳化硅产业两个大金额项目迎来重大进展:长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线、中导信力项目落户鄂州。 01、超200亿,长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线 5月28日,长飞先进武汉基地首片6英寸碳化硅晶圆正式下线,这一事件标志着总投资超过200亿元人民币的长飞先进武汉基地正式...  [详内文]

杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心

作者 |发布日期 2025 年 05 月 29 日 13:55 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期,杰平方半导体(上海)有限公司与深圳奥斯达克电气技术有限公司正式签署碳化硅(SiC)战略合作协议,并共同为“杰平方-奥斯达克SiC战略合作中心”揭牌。 图片来源:杰平方半导体 资料显示, 奥斯达克作为车载电源及OBC领域的资深供应商,多年来深耕重卡、工程机械、新能源汽车等行...  [详内文]

港交所将迎中国碳化硅芯片首股,第三代半导体资本竞速

作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:20 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
5月27日,深圳基本半导体股份有限公司(简称“基本半导体”)正式向港交所递交上市申请,中信证券、国金证券(香港)及中银国际担任联席保荐人,这也是中国碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申请的厂商。 图片来源:基本半导体上市申请书截图 基本半导体成立于2016年,总部位于深圳,作为国...  [详内文]

封顶/投产,国内两个化合物半导体项目新进展

作者 |发布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分类 企业 , 氧化镓 , 碳化硅SiC
从氮化镓(GaN)的“秒充”革命到碳化硅(SiC)在新能源汽车中的规模化应用,化合物半导体正加速重构半导体产业的竞争格局,为5G通信、智能电网、工业电机驱动等领域注入新动能。随着市场对高性能、高能效半导体器件需求的激增,国内化合物半导体项目层出不穷。近期,两个相关项目传出新进展,...  [详内文]

头部大厂碳化硅设备再获订单

作者 |发布日期 2025 年 05 月 27 日 15:50 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日,中导光电 披露,公司NanoPro-150纳米级晶圆检测设备再次获得全球碳化硅(SiC)行业头部客户的复购订单,将用于该客户8英寸SiC晶圆前道制程的缺陷检测。 图片来源:中导光电 相较于传统6英寸SiC晶圆,8英寸SiC在单位成本、生产效率和良率控制上具有显著优势,是未...  [详内文]

新加坡迎来一条8英寸碳化硅相关产线,亚洲第三代半导体竞赛再升级

作者 |发布日期 2025 年 05 月 27 日 15:48 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期,#新加坡科技研究局(A-STAR)宣布启动全球首条200毫米(8英寸)碳化硅(SiC)工业级开放研发生产线。 图片来源:A-STAR图为A-STAR首席执行官 Beh Kian Teik  该生产线由ASTAR微电子研究所(IME)运营,整合了从材料生长、缺陷分析到器件制...  [详内文]

株洲中车8英寸SiC产线披露最新进展

作者 |发布日期 2025 年 05 月 26 日 15:24 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
5月21日,株洲中车董事长李东林在“先进轨道交通行业专场”说明会上透露了公司在碳化硅(SiC)产业的最新进展。 株洲中车正加快8英寸碳化硅产线建设,其中三期8英寸SiC晶圆项目已于2024年11月启动,计划2025年5月完成主体厂房封顶,年底前实现整线贯通。公司现有的6英寸SiC...  [详内文]

英伟达携手纳微升级电源架构,氮化镓和碳化硅发挥核心作用

作者 |发布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
当地时间5月21日,纳微半导体宣布与英伟达达成战略合作,共同开发基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的800V高压直流(HVDC)电源架构,该技术将率先应用于英伟达下一代AI数据中心及Rubin Ultra计算平台。 图片来源:纳微半导体 当前数据中心普遍采用54V低压配...  [详内文]