文章分类： 氮化镓GaN

比亚迪投资了第三代半导体设备厂邑文科技

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 26 日 17:02 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
企查查官网显示，12月23日，无锡邑文电子科技有限公司（以下简称：邑文科技）发生工商变更，新增比亚迪等新股东，注册资本变更为1947.6655万元。 邑文科技成立于2011年3月，专注于半导体前道工艺设备的研发、制造，主要产品为刻蚀工艺设备和薄膜沉积工艺设备，应用于半导体（IC及...  [详内文]

应用材料将建下一代半导体设备研发中心

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 23 日 17:20 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
日前，应用材料宣布，计划在美国的创新基础设施上投资数十亿美元，并从现在到2030年扩大其全球制造能力。 该公司计划在加州森尼维尔建立下一代基础半导体技术和工艺设备研发中心，其规模将取决于政府的支持。这项投资计划于2023年初在硅谷启动。 此外，该公司还在对其全球各地的基础设施进行...  [详内文]

55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:24 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
近日，国家科技部公布了2022年国家重点研发计划立项资助名单。55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批。 “宽带射频功率放大器”项目基于第三代半导体GaN开展超宽带射频功率管的设计与制造研究，计划研究一套宽频带射频功率放大器，实现宽带射频功放在超高场磁共振的工程应用，为...  [详内文]

英诺赛科出货量破亿

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 16 日 16:41 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
据外媒报道，英诺赛科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出货量已突破1亿。 据化合物半导体市场了解，英诺赛科的8英寸晶圆产线自2019年开始大规模生产，并于2021年成为全球首家实现8英寸硅基GaN量产的企业，产能足以支撑全球市场对GaN FETs的强劲需求。2022年，英诺赛...  [详内文]

铭镓半导体在4英寸氧化镓晶圆衬底技术领域获突破

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:09 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
近期，北京铭镓半导体有限公司（以下简称：铭镓半导体）使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。 铭...  [详内文]

国产氮化镓外延龙头晶湛半导体再获数亿元融资

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 08 日 17:05 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
近日，第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成数亿元C轮融资，这是继今年3月完成B+轮数亿元战略融资以来的又一轮融资。 本轮增资由蔚来资本、美团龙珠领投，华兴资本旗下华兴新经济基金、欣柯资本等跟投，老股东歌尔微电子、三七互娱等继续加码。 晶湛半导体创始人、总裁程凯博士表示...  [详内文]

EPC公司携手世界先进，发力8英寸GaN功率半导体

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 07 日 17:20 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
12月6日，GaN功率FETs及功率IC提供商EPC公司宣布与特殊芯片代工厂世界先进（VIS）签订了一项GaN功率半导体多年生产协议。根据协议，EPC公司将从2023年初开始使用世界先进的8英寸晶圆制造平台，生产高性能GaN晶体管和GaN功率IC。 据介绍，EPC的GaN器件...  [详内文]

抢攻GaN功率器件市场，GaN Systems成立深圳办事处

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 06 日 17:23 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
今日，GaN Systems 氮化镓系统公司宣布成立深圳办事处，与中国台湾办事处共享设计研发资源，为亚太地区客户提供最及时且符合市场需求的GaN氮化镓解决方案，包括65W/100W/140W/250W的手机及笔电充电器参考设计，高功率数据中心及车用PFC、DC/DC转换器及逆变器...  [详内文]

中镓半导体联合北京大学在GaN衬底研发领域获突破

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:51 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
近日，中镓半导体与北京大学、波兰国家高压实验室开展了合作，使用乙烯气源制备出了世界最高电阻率的半绝缘GaN自支撑衬底。 实验使用乙烯气源制备了半绝缘GaN衬底，并对制备得到的GaN材料进行了表征，证明了乙烯气源的掺杂效率比传统甲烷气源高40倍。在相同测试温度下比较了现有报道的半绝...  [详内文]

长光华芯联合中科院苏州纳米所共建“氮化镓激光器联合实验室”

作者 | 发布日期: 2022 年 12 月 06 日 14:49 |
关键字:
| 分类: 氮化镓GaN
11月29日，苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”在苏州长光华芯正式揭牌成立。 氮化镓是第三代半导体中具有代表性的材料体系，氮化镓蓝绿光激光器未来在激光显示、有色金属加工等诸多领域都有巨大的应用优势以及不可替代的作用。基于氮化镓的蓝绿光激光器是第三...  [详内文]