文章分类： 氮化镓GaN

新加坡成立氮化镓国家半导体转换和创新中心，2026年年中开启商业运营

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 02 日 14:41 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，新加坡科学技术研究署（A*Star）成立的氮化镓国家半导体转换和创新中心（NSTIC（GaN））举行开幕仪式并正式启用，计划从2026年年中开始在本地提供商业生产代工服务。 半导体产业是现代科技的核心驱动力，氮化镓作为第三代半导体材料代表，具有高电子迁移率、高击穿电场、高热...  [详内文]

麻省理工学院推出氮化镓与硅芯片3D集成新技术

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:44 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，麻省理工学院（MIT）的研究团队取得了一项重大技术突破，开发出一种创新的制造工艺，能够将高性能氮化镓（GaN）晶体管与标准硅芯片进行三维集成。这一成果有望显著提升高频应用（如视频通话和实时深度学习）的性能表现，为半导体技术的发展开辟新的道路。 图片来源：麻省理工学院新闻 ...  [详内文]

罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 24 日 14:27 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
6月23日，罗姆宣布成为支持英伟达全新800V高压直流（HVDC）架构的主要硅供应商之一。 罗姆介绍，公司不仅提供硅（Si）功率元器件，还拥有包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等#宽禁带半导体 在内的丰富产品阵容，可为数据中心的设计提供更优解决方案。 罗姆的Si MOSFET...  [详内文]

深圳平湖实验室GaN课题组迎新成果

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 23 日 14:29 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近期，深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被IEEE ISPSD确认接收，论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺...  [详内文]

先为科技首台GaN MOCVD外延设备正式发货

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 18 日 13:53 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
“先为科技”官微消息，6月16日无锡先为科技有限公司首台 GaN MOCVD BrillMO 外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。 图片来源：先为科技 先为科技表示，此次发货的 GaN MOCVD BrillMO 外延设备，各项性能均达到行业领先水平。该设备运用特有的温...  [详内文]

GaN驱动电源革新，多款氮化镓电源产品发布

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 13 日 17:00 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
在科技飞速发展的当下，氮化镓（GaN）技术正以其卓越的性能，为电源领域带来一场深刻变革。近期，MPS芯源系统和小米生态链企业酷态科，分别推出集成氮化镓技术的新产品，引发行业广泛关注。 1、MPS发布集成氮化镓的高效电源方案 6月初，MPS芯源系统发布两款新品——NovoOne开关...  [详内文]

又一批第三代半导体项目刷新进度：封顶、试运行、冲刺生产！

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 12 日 15:20 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 砷化镓
在全球科技竞争日益激烈的当下，第三代半导体凭借其卓越的性能，成为推动电子信息产业变革的关键力量。近期，第三代半导体领域多个项目取得重要进展，为该行业的发展注入了新的活力。 01奥通碳素半导体级等静压石墨项目：设备调试收官+试生产并行 6月9日，据“最内江”公众号消息，奥通碳素（内...  [详内文]

华东理科大学氮化镓晶圆检测研究新进展

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日，华东理科大学上海市智能感知与检测技术重点实验室智能传感团队在氮化镓晶圆检测研究中取得重要进展。 图片来源：华东理科大学 团队利用开发的二维有机薄膜忆阻器实现了有图案晶圆的缺陷检测和无图案晶圆的表面粗糙度分类。 相关研究成果以“Covalent organic framew...  [详内文]

稳懋半导体发布基于SiC衬底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术正迎来重大突破。近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术，预计2025年第三季度量产，这将显著提升高频射频电路性能，加速GaN技术在5G/...  [详内文]