文章分类： 氮化镓GaN

EPC专利被判决无效，英诺赛科获ITC案件终极胜利

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:19 |
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| 分类: 产业 , 企业 , 氮化镓GaN
3月19日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）宣布，其在与美国宜普公司（EfficientpowerConversionCorporation，EPC）发起的专利侵权案中取得决定性胜利。 3月18日,美国专利局（USPTO）对EPC涉案专利(US’294号专...  [详内文]

安徽格恩半导体申请氮化镓基化合物半导体激光器专利

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 19 日 14:07 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基化合物半导体激光器”的专利。 专利摘要显示，本发明涉及半导体激光元件技术领域，具体公开了一种氮化镓基化合物半导体激光器。该氮化镓基化合物半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上...  [详内文]

杭州第三代半导体相关项目迎新进展

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 17:04 |
关键字: , ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
杭州“临安发布”消息，爱矽科技园项目已完成40%的施工进度。计划今年年底，园区全部结顶竣工，争取明年5月投入使用。 该产业园于2024年5月开工，项目计划打造临安首个集芯片设计研发、先进封装封测、功率器件封装封测等多元功能于一体的集成电路产业园，占地118亩，建筑面积约20万平方...  [详内文]

这家破产的GaN工厂，被全球三大公司竞购

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 16:59 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日，一场围绕氮化镓（GaN）技术的竞购战正在比利时奥德纳尔德市悄然上演。曾被誉为欧洲GaN技术先驱的BelGaN工厂，因资金链断裂于2024年8月申请破产，其440名员工的命运与价值1.3亿欧元的资产标的，成为全球半导体产业链争夺的焦点。 从辉煌到陨落，BelGaN花落谁家 B...  [详内文]

聚焦三代半等领域，江苏首只高校科技成果转化基金完成注册

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 9:00 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
据江苏金融湃消息，近日江苏首只高校科技成果转化基金——南京高校科技成果转化天使基金完成工商注册。这只总规模5亿元的基金，将重点投向第三代半导体、前沿新材料等战略领域，为高校科研成果转化注入”耐心资本”。 据悉，该基金由江苏省战略性新兴产业母基金、南京市创新...  [详内文]

国家队再投一家化合物半导体大厂

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 18 日 8:56 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
企查查最新消息显示，3月13日，国家集成电路产业投资基金二期（以下简称“大基金二期”）投资入股了昂坤视觉（北京）科技有限公司。 source：集邦化合物半导体截图 此前，昂坤视觉还获得了中微公司、汇川技术、晶盛机电等知名产业方，金浦投资、招商致远、海望资本、昌发展、冯源资本、清...  [详内文]

欧洲九国联盟，第三代半导体划重点

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:32 |
关键字: , ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，德国、荷兰、法国、比利时、芬兰、意大利、奥地利、波兰和西班牙九个国家正式签署协议，组建“半导体联盟”（Semicon Coalition），旨在通过协同合作提升芯片自给能力，并强化自身在全球半导体版图的地位。 上述联盟主攻技术主权、供应链韧性与创新竞争力三大核心方向，将重点...  [详内文]

纳微半导体、CGD两家公司氮化镓新突破

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:28 |
关键字: , ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
第三代半导体产业中，氮化镓凭借出色的电子迁移率和更高的开关速度，在高频应用领域中展现出优势，吸引业界关注。近期，市场传来纳微半导体、CGD两家公司氮化镓新动态，涉及电动汽车、车载充电以及光伏逆变器等领域。 01 纳微半导体全球首发双向氮化镓开关 3月12日，纳微半导体发布全球首款...  [详内文]

两条8英寸产线新进展：涉及碳化硅、氮化镓

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 16:23 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅产线之后，香港再传出两条第三代半导体产线进展。 近期，明报新闻网报道，香港微电子研发院（MRDI）正在设立两条8英寸第三代半导体中试线，分别负责碳化硅及氮化镓研发和生产，预计在今年内完成安装及调试。 2024年5月，香港立法会批准28.4亿港元设立香港微电子研发...  [详内文]

CGD官宣突破性技术

作者 | 发布日期: 2025 年 03 月 14 日 9:49 |
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| 分类: 氮化镓GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源车主驱逆变器的GaN解决方案。该方案基于其专利ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术，目标瞄准规模超百亿美元的电动汽车市场。革命性的 Combo ICeGaN® 方案通过将智能化的ICeGaN® HEMT与传统IGBT 组合并封装于同...  [详内文]