文章分类： 碳化硅SiC

跨界联合，天岳先进与舜宇奥来达成SiC战略合作

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 16 日 13:52 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
7月15日，据天岳先进官微消息，舜宇奥来已经于7月14日与天岳先进达成战略合作，开启微纳米光学领域和新材料领域两家龙头企业合作新篇章。作为行业内的两大重要企业，双方的携手将为SiC技术的应用拓展与产业升级注入新的活力。 图片来源：天岳先进 天岳先进成立于2010年，2022年上...  [详内文]

日本研究人员计划用芯片废料制造SiC

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 15 日 14:03 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，媒体报道Resonac（原昭和电工公司）和日本东北大学正探索使用由硅晶片制造过程中产生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作为SiC单晶材料的原材料。 据悉，双方目前已经完成了基础研究，并已开始针对实际应用的全面研究。在基础研究中，东北大学在其碳回收示范研究中心使用微波加热硅污...  [详内文]

瞻芯电子、珂玛科技披露碳化硅产品新动态

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 14 日 15:36 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
在全球能源转型与半导体技术升级的交汇点上，#碳化硅 正以技术升级与产业化落地双轮驱动，重塑电力电子与高端制造的竞争格局。我国在SiC器件设计、模块封装及高端材料制备领域正不断取得新突破。近期，国内碳化硅产业链再传捷报：瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET实现百万级量产交...  [详内文]

助力第三代半导体客户量产突破，CGB碳化硅专用清洗设备交付

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 11 日 14:32 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近期，北京华林嘉业科技有限公司（CGB）宣布成功向国内领先的第三代半导体企业交付了自主研发的湿法清洗设备集群。该设备将用于碳化硅外延及器件产线，助力其提升晶圆制造良率与产能效率。 CGB公司介绍，交付设备构成完整的清洗链条：从光刻环节的显影/去胶（半自动显影机、无机去胶清洗机），...  [详内文]

基本半导体核心子公司增资至2.1亿元，将在深圳建设车规级SiC模块制造基地

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 11 日 14:19 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
7月9日，基本半导体股份有限公司旗下核心子公司——基本封装测试（深圳）有限公司完成了工商变更。其注册资本从原有的1000万元人民币增至2.1亿元人民币，增幅逾20倍。 图片来源：企查查截图 这笔巨额资金由母公司基本半导体与深圳市投控基石新能源汽车产业私募股权投资基金合伙企业（有...  [详内文]

我国碳化硅激光剥离技术实现重大突破，单片切割损耗降至75微米以下

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 10 日 14:14 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳平台（深圳平湖实验室）宣布在碳化硅衬底加工领域取得里程碑式进展。该团队自主研发的全自动化激光剥离系统，成功将碳化硅衬底单片切割损耗从传统工艺的280-300微米降至75微米以下，单片成本降低26%，技术水平达到国际先进。 在第三代半导体材料产...  [详内文]

纳设智能官宣：全自动双腔8英寸碳化硅外延设备交付

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 09 日 14:22 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
随着新能源汽车、超高压充电桩等场景对碳化硅器件的需求激增，全球产业正加速向8英寸晶圆升级。纳设智能凭借自主可控的技术核心，实现8英寸设备量产交付。 7月8日，纳设智能宣布自主研发的全自动双腔8英寸碳化硅外延设备及多台8英寸单腔设备交付龙头客户。 图片来源：纳设智能 纳设智能表示...  [详内文]

11.2亿元，又一碳化硅企业被收购

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 09 日 14:20 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
7月8日晚间，正帆科技发布公告，拟以现金的方式向SINGAREVIVAL控股私人有限公司等5名股东，购买汉京半导体材料有限公司62.23%股权，交易估值18亿元，预计交易金额约11.2亿元。交易完成后，汉京半导体将成为正帆科技的控股子公司。 图片来源：正帆科技公告截图 公开资料...  [详内文]

四部门重磅发文，加快高压碳化硅模块等核心器件国产化替代

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 08 日 14:10 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，国家发展改革委办公厅等四部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。 上述通知提出，推动大功率充电技术创新应用。充电运营企业要加强充电装备技术升级，提高大功率充电设施的运行效率和使用寿命。 鼓励对分体式设备采用大功率充电优先的功率分配策略。 加快高压碳化硅模块、主...  [详内文]

新品爆发，英诺赛科/wolfspeed/英飞凌/罗姆等企业加速竞逐

作者 | 发布日期: 2025 年 07 月 08 日 14:05 |
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| 分类: 企业 , 半导体产业 , 氮化镓GaN
以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料持续推动功率电子和通信领域的技术革新。从新能源汽车到5G基站，从工业设备到消费电子，这些宽禁带材料正凭借高频、高效、高功率密度的特性重塑产业格局。 近期，第三代半导体领域迎来一轮新品爆发期，英诺赛科、Wolfspeed、...  [详内文]