文章分类: 碳化硅SiC

两家日本半导体公司发布碳化硅新品

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 06 日 11:54 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近期,#日本罗姆株式会社 与#三菱电机株式会社 相继推出基于碳化硅(SiC)材料的新型功率半导体模块,分别聚焦电动汽车与家用电器领域。作为第三代半导体技术的代表,碳化硅凭借耐高压、低损耗等特性,正持续拓展其在新能源与消费电子领域的应用边界。 罗姆开发新型碳化硅半导体 日本半导体制...  [详内文]

碳化硅材料:高折射率与高热导性成为最理想AR镜片材料

作者 | 发布日期: 2025 年 05 月 06 日 11:53 |
| 分类: 碳化硅SiC
以下内容转载自:思瀚研究院 碳化硅材料:高折射率助力实现广阔视场角FOV 碳化硅材料折射率可达2.6以上,对比树脂和玻璃等优势明显,单层镜片即可实现80度以上FOV。常用材料折射率方面,普通树脂约1.51,高折射率树脂约1.74;普通玻璃约1.5,高折射率玻璃约1.9。 而SiC...  [详内文]

国内两项碳化硅技术迎突破

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 29 日 15:41 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
碳化硅作为第三代半导体材料的核心代表,正以其耐高压、高频、高效等特性重塑全球功率半导体产业发展格局,吸引各国争相投入研发。中国碳化硅技术研发进展顺利,近期,两项碳化硅技术迎来新突破。 1、连科半导体八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果鉴定达到国际领先水平 “连城数控”官微消息,近期,中...  [详内文]

甘肃天祝县:冲刺百亿级碳硅基新材料产业集群!

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 28 日 16:07 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近日,据中国甘肃网报道,甘肃省天祝县正全力推进碳硅基新材料产业集群建设,并计划到“十五五”末(2030年),建成国家级碳硅基新材料产业基地,形成百亿级产业集群,为西北地区新材料产业发展树立标杆。 天祝县位于甘肃省武威市,地处祁连山下,拥有独特地理位置和丰富资源,其工业主导产业便是...  [详内文]

2项SiC单晶生长用等静压石墨标准正式发布

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 28 日 16:06 |
| 分类: 碳化硅SiC
近期,在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间,第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)正式发布2项SiC单晶生长用等静压石墨标准: T/CASAS 036—2025《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法》 T/CASAS 0...  [详内文]

两家碳化硅大厂公布今年一季度财报

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 28 日 16:01 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
2025年第一季度,全球半导体行业面临着周期性波动的挑战,但碳化硅行业内的两大厂商——意法半导体(ST)和X-fab均在这一领域取得了显著进展。意法半导体通过优化制造布局和推进卡塔尼亚8英寸SiC工厂的建设,进一步巩固了其在碳化硅市场的领先地位;而X-fab则凭借其在碳化硅业务上...  [详内文]

国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台展示自研产品

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 27 日 15:11 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
“深圳平湖实验室”官微消息,2025九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间,国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台对外全面展示科研平台、设计仿真平台、中试平台、分析检测中心能力,同时带来了8吋 SiC激光剥离衬底及复合衬底、1200V SiC外延及厚膜外延...  [详内文]

格力造芯新篇章,家用空调搭载SiC芯片突破100万台

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 27 日 14:59 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
4月22日下午,格力电器召开2025年第一次临时股东大会,相比过往历次股东大会都被安排在格力地产总部办公楼,本次股东大会首次被安排在格力电器珠海碳化硅芯片工厂举行。 据悉,该工厂自2024年投产以来,其碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。 SiC材料具有高耐压、...  [详内文]

闻泰科技、三安光电财报出炉,聚焦SiC与GaN进展

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 27 日 14:53 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日,闻泰科技与三安光电相继发布最新财务报告,这两家公司均在第三代半导体碳化硅和氮化镓领域展现出积极的布局和显著的进展。闻泰科技凭借其在半导体和通信技术领域的多元化优势,在车规级碳化硅应用和氮化镓高效能领域取得突破;而三安光电则依托其在化合物半导体领域的深厚积累,在碳化硅产业链的...  [详内文]

南京年产250万件IGBT/SiC功率器件项目正式投产!

作者 | 发布日期: 2025 年 04 月 25 日 14:04 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
4月23日,丹佛斯动力系统官方宣布,他们的南京功率模块园区正式启用。 source:丹佛斯动力系统 结合官方和南京经济技术开发区消息,丹佛斯南京园区设有两家工厂,分别隶属于赛米控丹佛斯和丹佛斯Editron事业部,分别投资了不同的项目。 其中,IGBT半导体模块项目总投资约1亿...  [详内文]