文章分类： 碳化硅SiC

直击深圳国际半导体展：30+三代半厂商亮相！

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:36 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
5月16日，为期三天的SEMI-e第五届深圳国际半导体技术暨应用展览会在深圳国际会展中心（宝安新馆）盛大开幕。 本届展会以“芯机会 智未来〞为主题，涵盖6大特色展区，包括电子元器件、IC设计&芯片、晶圆制造及封装、半导体设备、半导体材料、第三代半导体，为各领域的行业人士...  [详内文]

【会议预告】Wolfspeed：SiC器件赋能新能源领域应用的创新和优化

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:12 |
关键字:
| 分类: 碳化硅SiC
随着传统硅材料制作的功率半导体器件，电能变换效率达到理论极限，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料应运而生。 其中，碳化硅用于制作功率器件，可显著提高电能利用率，是功率半导体的一大重要发展方向。 碳化硅器件应用场景明确。在新能源领域，碳化硅可以提升系统效率、提高功率密度并降低...  [详内文]

爱思强拟投资1亿欧元建设新研发中心

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:10 |
关键字:
| 分类: 碳化硅SiC
5月16日，德国沉积设备商爱思强（AIXTRON SE）宣布，拟在德国黑措根拉特（Herzogenrath）总部投资1亿欧元（约合人民币7.6亿元）建设新的创新研发中心，将包含1000㎡的洁净室空间，为已在准备的下一代产品及未来其他新产品提供更充足的生产能力，提升半导体沉积设备的...  [详内文]

安森美斥巨资扩产SiC，目标拿下40%的市场

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 18 日 11:07 |
关键字:
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
安森美半导体公司高管周二表示，该公司正在考虑投资 20 亿美元用于提高广泛用于帮助扩大电动汽车续航里程的碳化硅芯片的生产。公司高管在分析师介绍中表示，公司正在考虑在美国、捷克共和国或韩国进行扩张。该公司已经在这些国家/地区中的每一个国家/地区设有工厂。 ON Semiconduc...  [详内文]

这个SiC厂商获融资，外延片实现量产！

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 16 日 17:34 |
关键字: ,
| 分类: 碳化硅SiC
近期，希科半导体表示，已有数台碳化硅CVD炉到位并调试成功实现了高品质外延片的量产，已对十余个业内标杆客户完成送样并实现了采购订单。 此外，公司天使轮投资机构云懿资本推动和支持公司完成了Pre-A轮融资。 本轮Pre-A轮融资由天堂硅谷、晨道资本两家业内知名机构领投，云懿资本作为...  [详内文]

半导体材料领域或再添一家上市企业

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 15 日 17:40 |
关键字:
| 分类: 碳化硅SiC
近日，中信证券披露了关于新磊半导体科技(苏州) 股份有限公司（简称：新磊科技）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。 4月26日，中信证券股份有限公司与新磊半导体签订辅导协议； 4月27日，新磊半导体正式向中国证券监督管理委员会江苏监管局报送辅导备案申请材料并于2023年5月8日完...  [详内文]

又一国产企业成功研制8英寸SiC衬底！

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 15 日 17:30 |
关键字:
| 分类: 碳化硅SiC
5月12日，杭州乾晶半导体有限公司（以下简称“乾晶半导体”）宣布，在大尺寸碳化硅单晶生长及其衬底制备方面取得突破：采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27mm的8英寸n型SiC单晶锭，并加工获得了8英寸SiC衬底片。 资料显示，乾晶半导体成立于2020年7月，...  [详内文]

科友6/8英寸SiC规模化生产再进一步

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 12 日 17:50 |
关键字:
| 分类: 碳化硅SiC
今日，科友半导体宣布其6/8英寸碳化硅规模化生产取得了重大技术突破。 公司自主研发出两种不同加热方式的PVT法晶体生长炉，完成了国产自主1至4代感应炉和1至3代电阻炉的研发，形成大尺寸低成本碳化硅产业化制备系列技术。 实现了6英寸碳化硅单晶衬底的规模生产和批量供货，8英寸碳化硅单...  [详内文]

这两个SiC设备厂获新突破

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 12 日 17:50 |
关键字:
| 分类: 碳化硅SiC
近日，国产化合物半导体设备产业传来两个好消息：北京烁科中科信宣布特种离子注入机顺利交付，粤升半导体宣布成功研发SiC外延设备。 北京烁科中科信 今日，北京烁科中科信宣布不特种离子注入机顺利交付。就在4月，公司宣布北京总公司和长沙分公司实现12台离子注入机先后顺利交付，同比增长30...  [详内文]

开关损耗比SiC模块降低66%！三菱电机全新模块样品将出货

作者 | 发布日期: 2023 年 05 月 12 日 17:30 |
关键字: ,
| 分类: 碳化硅SiC
今年以来，海内外厂商活跃于各大电力电子相关的展会，并陆续发布了新的SiC技术、产品、解决方案或参考设计，技术水平和产品性能都进一步得到改善和升级。 其中，三菱电机开发了一款新型的SBD嵌入式的SiC MOSFET模块FMF800DC-66BEW，具备双型3.3kV耐受电压及6.0...  [详内文]