最新文章

国内20kV碳化硅IGBT/FRD器件实现突破
作者 |发布日期 2026 年 08 月 04 日 15:44 | 分类 碳化硅SiC
近日，深圳平湖实验室联合产业合作企业，依托自研8英寸碳化硅中试平台，成功研制20kV电压等级SiC IGBT及配套FRD快恢复二极管，攻克多项工艺与测试难题，核心性能达国际先进水平，实现国内特高压级碳化硅功率器件从技术探索到工程化落地的关键突破。本次研发也是全球首次基于8英寸超厚...  [详内文]

瑞迪微电子完成超亿元融资，安徽国资加码功率半导体赛道
作者 |发布日期 2026 年 08 月 03 日 15:21 | 分类 企业 , 功率
近日，安徽瑞迪微电子有限公司完成新一轮融资，融资金额超过1亿元。本轮投资方包括安徽省产业投资公司、创谷资本和高新国控，三方分别代表省级创投力量与区级本土资本，形成多级国资联动的投资格局。 瑞迪微电子成立于2019年6月，位于芜湖市弋江区高新技术产业开发区，是奇瑞体系孵化的国家级专...  [详内文]

2.87亿新公司成立，聚焦高端IGCT功率半导体
作者 |发布日期 2026 年 08 月 03 日 15:18 | 分类 企业 , 功率
据时代电气2026年7月31日晚间发布的官方投资公告，其控股核心子公司株洲中车时代半导体有限公司（简称“时代半导体”）将与北京怀柔实验室、北京华控技术转移有限公司、南方电网新型电力系统（北京）研究院有限公司等五家机构联合，共同出资人民币2.87亿元，设立北京中车时代怀实半导体有限...  [详内文]

消息称三星电子氮化镓代工量产计划面临延期
作者 |发布日期 2026 年 08 月 03 日 15:14 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
韩国科技媒体The Elec于2026年7月31日援引多位半导体行业知情人士消息披露，三星电子在龙仁器兴园区推进的8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工项目在试生产阶段遭遇技术瓶颈。因部分测试芯片在长时间高温运行测试中出现失效故障，原本规划于2026年年内实现商业化量产的计划预计将...  [详内文]

AXT与Lumentum签署长期磷化铟衬底产能锁定供货协议
作者 |发布日期 2026 年 07 月 31 日 15:17 | 分类 磷化铟
7月29日，全球磷化铟衬底主要供应商AXT正式对外发布公告，披露已与光通信行业企业Lumentum运营有限责任公司签署具备约束力的磷化铟晶圆衬底产能预留及供货长期协议。 该协议实际于7月26日正式生效，合约执行周期直至2031年12月31日，市场普遍将其视作跨度约五年以上的产能锁...  [详内文]

1.76亿元定增，又一企业加码碳化硅设备
作者 |发布日期 2026 年 07 月 31 日 15:14 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
7月30日晚间，宇晶股份发布2026年度以简易程序向特定对象发行股票预案，计划募集资金总额不超过1.76亿元，资金将主要投向第三代半导体碳化硅高端加工设备研发产业化、海外市场渠道搭建以及补充日常经营流动资金。 根据公告披露的资金使用规划，1.76亿元募资总额分为三个明确投向，其中...  [详内文]

碳化硅铜互连封装工艺，全国首发！
作者 |发布日期 2026 年 07 月 31 日 15:10 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
7月31日，派恩杰半导体官微宣布全国首发碳化硅铜互连封装工艺，该方案从晶圆级顶部厚铜工艺延伸到模块级互连，涉及材料、工艺到封装各环节。 随着碳化硅功率器件向更高结温、更高电流密度和更薄芯片方向发展，封装互连环节正成为制约器件可靠性的关键瓶颈。传统铝互连体系因热膨胀系数与碳化硅存在...  [详内文]

GaN+SiC双线并进，这家厂商高功率营收飙升50%
作者 |发布日期 2026 年 07 月 30 日 14:51 | 分类 企业
近期，纳微半导体在功率半导体领域连续释放两则重要动态。7月23日，公司宣布与Magnachip达成战略合作，授权其GeneSiC高压及超高压碳化硅技术；7月27日，纳微公布2026年第二季度财报，营收环比增长22%，高功率业务同比增幅超过50%。GaN与SiC双技术路线的协同推进...  [详内文]

15亿元金刚石半导体项目落地！三期建成千台MPCVD设备产能
作者 |发布日期 2026 年 07 月 30 日 14:46 | 分类 企业 , 化合物半导体
7月27日，山西晋城经济技术开发区正式对外披露人造金刚石半导体产业化项目整体规划，项目总投资额15亿元，将分三期落地总计1000台MPCVD微波等离子体化学气相沉积设备产能，循序渐进实现单晶/多晶金刚石基材、高导热金刚石散热片、金刚石异质外延晶圆的规模化量产，切入第四代半导体前沿...  [详内文]