最新文章

南京新增一家碳化硅相关设备公司，注册资本1000万元
作者 |发布日期 2025 年 04 月 17 日 14:10 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
企查查显示，4月上旬，南京晶逸半导体科技有限公司成立，法定代表人为张小潞，注册资本1000万元，经营范围包含：半导体器件专用设备制造；电子专用设备制造；电子专用材料制造；石墨及碳素制品制造等。 source：集邦化合物半导体截图 企查查股权穿透显示，该公司由晶升股份等共同持...  [详内文]

士兰微、方正微电子碳化硅新动态
作者 |发布日期 2025 年 04 月 17 日 14:08 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期，国内碳化硅厂商方正微电子、士兰微电子最新产品动态曝光。 1、方正微电子发布第二代车规主驱SiC MOS产品 近期，方正微电子正式发布第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ产品，在第一代的高可靠基础上，进一步提升性能，缩小Die size，提升FOM值，实现了在行...  [详内文]

河南，发力碳化硅等相关材料领域！
作者 |发布日期 2025 年 04 月 16 日 12:59 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期，河南省工业和信息化厅、河南省财政厅、河南省科学院联合关于发布《河南省重点新材料首批次应用示范指导目录（2025版）》的通告，涉及碳化硅等碳材料： 铝基碳化硅复合材料薄板 (1)厚度0.05mm至1.0mm；(2)屈服强度≥320MPa；(3)延伸率≥3%；(4)热导率≥12...  [详内文]

实现量产！英诺赛科发布氮化镓新产品
作者 |发布日期 2025 年 04 月 16 日 12:56 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
4月14日，英诺赛科发布公告，宣布自主开发的1200V氮化镓（GaN）产品已实现量产。 source：集邦化合物半导体截图 公告介绍，该款产品凭借宽禁带特性，在高压高频场景优势显著，具备零反向恢复电荷的核心优势，有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化，可广泛应用于新能源...  [详内文]

国产机器人“黑豹2.0”搭载GaN
作者 |发布日期 2025 年 04 月 15 日 13:07 | 分类 氮化镓GaN
近日，中国“黑豹2.0”四足机器人搭载GaN电机驱动系统，在电机驱动系统上实现了革命性突破。该机器人由中国浙江大学杭州国际科创中心人形机器人创新研究院联合镜识科技有限公司、杭州凯达尔焊接机器人股份有限公司共同发布，被称为是全球速度最快的四足机器人。 核心技术突破：氮化镓（GaN）...  [详内文]

独家对话方正微电子彭建华：碳化硅领域的突破与展望
作者 |发布日期 2025 年 04 月 15 日 13:05 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
Q1：近期贵公司在碳化硅芯片领域取得了哪些突破？ 彭建华：方正微电子从2023年底实现车规主驱SiC MOS芯片量产，2024年进一步提升生产制造质量与良率，夯实基础。 在关键的新能源汽车市场，无论是产品性能质量，还是出货量，方正微电子均处于国内领先地位。另外在光储充UPS等工规...  [详内文]

上海成立一家芯片公司，或发力功率半导体
作者 |发布日期 2025 年 04 月 15 日 13:01 | 分类 企业 , 功率
企查查官网显示，近期，海驭能科半导体（上海）有限公司成立，注册资本为1亿元，该公司主营半导体分立器件制造、电力电子元器件制造、电子专用材料制造等业务。 股权穿透显示，海驭能科半导体（上海）有限公司由华域汽车旗下华域汽车系统（上海）有限公司、上海国策绿色科技制造私募投资基金合伙企业...  [详内文]

亚洲氧化镓技术迎新进展
作者 |发布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分类 企业 , 氧化镓
从硅（Si）到砷化镓（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），半导体材料禁带宽度的拓宽始终驱动着性能边界的拓展。如今，氧化镓（Ga₂O₃）作为第四代超宽禁带半导体材料的代表，正以其颠覆性的物理特性与成本优势，掀起一场新的半导体革命。 氧化镓熔点高达1900℃，不溶于水...  [详内文]

12英寸碳化硅设备，三家企业实现突破！
作者 |发布日期 2025 年 04 月 14 日 13:41 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期我国多家企业在碳化硅设备领域取得了显著进展，推动了我国在第三代半导体材料装备制造方面的自主创新能力。 其中，晶驰机电成功开发出电阻法12英寸碳化硅晶体生长设备，实现了同一炉台8英寸和12英寸碳化硅单晶的稳定量产；山西天成的12英寸碳化硅长晶炉也已进入炉体组装和工艺调试阶段，计...  [详内文]