上市首份半年报出炉，臻宝科技碳化硅高端零部件业务持续放量

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 25 日 15:16 | 分类 企业 | edit

8月24日，科创板半导体设备零部件厂商臻宝科技披露2026年半年度报告，这也是公司今年6月登陆科创板之后发布的首份财报，整体业绩保持稳健增长，高端碳化硅零部件业务加速突破，客户结构与产能布局持续优化。 财报数据显示，2026年上半年臻宝科技实现营业收入4.84亿元，同比增长31....  [详内文]

晶盛机电：12英寸碳化硅晶体生长实现突破

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 25 日 15:10 | 分类 企业 | edit

8月24日，晶盛机电发布投资者关系活动记录表。公司就半导体装备业务、碳化硅衬底材料及金刚石材料等领域的进展作出说明。 半导体装备：12英寸外延设备实现销售，ALD设备进入头部产线验证 在集成电路装备领域，公司正积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。...  [详内文]

国产8英寸SiC炉管套件与高温栅氧炉，完成中试验证

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 24 日 14:33 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证成果发布暨战略合作框架签约仪式，在深圳平湖实验室顺利举办。 该项目由深圳平湖实验室、深圳市志橙半导体材料股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所三方联合推进。 本次中试验证顺利落地，标志国内第三代半导体核心材料与...  [详内文]

富加镓业6英寸氧化镓晶锭等径厚度突破70毫米

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 24 日 14:26 | 分类 企业 , 氧化镓 | edit

近日，富加镓业对外公布6英寸氧化镓单晶材料最新研发进展，企业依托自主垂直布里奇曼（VB）生长工艺，制备出等径平均厚度达到70.58mm的6英寸氧化镓晶锭，样品分别经由平湖实验室、中国计量科学研究院完成两项关键指标检测，结晶品质与电学参数取得阶段性成果。 图片来源：富加镓业 根据...  [详内文]

扬杰科技上半年净利增28%，SiC业务近翻倍

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 24 日 14:21 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

近日，扬杰科技发布2026年半年度报告。上半年公司实现营业收入45.15亿元，同比增长30.7%；归母净利润7.71亿元，同比增长28.2%；扣非净利润7.24亿元，同比增长29.6%。经营活动现金流净额为4.99亿元，同比下降34.1%。 图片来源：扬杰科技半年度报告截图 在...  [详内文]

加码高速磷化铟光芯片，42.68亿元产业园项目待落地

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 20 日 15:05 | 分类 磷化铟 | edit

8月19日晚间，源杰科技披露第三次临时股东大会会议材料，正式对外明确，公司计划投资建设源杰半导体科技产业园项目，项目总投资额约42.68亿元，同时提请股东大会审议，将全年综合授信额度上调至不超过60亿元，用来保障项目建设、产能扩张以及后续研发投入的资金需求。 产业园选址陕西省西咸...  [详内文]

扭亏、放量、净利翻倍：碳化硅赛道半年报透露三个关键信号

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 20 日 15:02 | 分类 企业 | edit

2026年上半年，碳化硅衬底与功率半导体领域多家A股上市公司相继披露半年报。在新能源汽车高压平台加速渗透、AI算力基础设施持续扩建的产业背景下，各家企业表现各有亮点，碳化硅衬底大尺寸化、车规级产品放量、第三代半导体研发推进等趋势持续深化。 01、天岳先进：8英寸衬底收入占比超50...  [详内文]

听百家言、观行业风！答案尽在 CSEAC 同期论坛中

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 19 日 17:50 | 分类 展会 | edit

2026年8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）将在无锡太湖国际博览中心开幕。由中国电子专用设备工业协会主办的第十四届(2026)中国电子专用设备工业协会半导体设备年会也将同期同地召开。 CSEAC 2026 规模新高：7万平方米，联动...  [详内文]

光通信巨头启动300mm碳化硅衬底送样

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 19 日 15:07 | 分类 碳化硅SiC | edit

当地时间8月17日，光通信巨头Coherent宣布已开始向AI半导体领域的合作伙伴交付300mm高导热碳化硅衬底样品。这一进展标志着该公司可扩展材料平台正式从内部研发阶段进入客户验证环节。 随着AI处理器向更高功率密度演进，散热问题正成为制约系统性能、可靠性和数据中心效率的主要瓶...  [详内文]

银河微电携手复旦发布三款1200V SiC MOSFET，车规级产品已具备量产能力

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 08 月 19 日 15:03 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

近日，常州银河世纪微电子股份有限公司与复旦大学联合举办SiC MOSFET新品发布会，正式推出三款1200V碳化硅功率器件。此次发布的产品基于双方近三年的产学研合作，围绕SiC器件封装设计、核心工艺、性能优化及可靠性验证等环节开展系统性研发，目前已有部分产品具备量产条件。 三款新...  [详内文]