最新文章

德企获3.53亿欧元政府补贴，加码SiC外延晶圆
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:42 | 分类 碳化硅SiC
7月14日，欧盟委员会正式发布公告，批准总额6.59亿欧元德国国家补贴，支持四座欧洲首创半导体生产项目落地。其中德国中小企业Element 3-5 GmbH将获得3.53亿欧元直接资助，用于在北莱茵-威斯特法伦州巴斯韦勒（Baesweiler）建设碳化硅（SiC）外延晶圆生产工厂...  [详内文]

补齐8英寸SiC短板，平湖实验室实现沟槽型JFET全链条突破
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:39 | 分类 碳化硅SiC
在大功率、高压场景中，碳化硅功率器件正加速取代传统硅基器件，但沟槽型结构的制造难度长期制约着国产高端产品的量产进程。沟槽刻蚀均匀性与阈值电压的高度耦合，使得工艺窗口极为狭窄，良率难以提升，这一行业共性难题此前在国内始终缺乏系统性解决方案。近日，深圳平湖实验室第三代跃升研究团队在这...  [详内文]

年产60万片，这一8英寸SiC衬底项目加速投产
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:34 | 分类 碳化硅SiC
近日，晶盛机电在机构调研及投资者互动平台对外披露碳化硅衬底业务最新进展。 公司子公司浙江晶瑞电子材料有限公司正加快推进年产60万片8英寸SiC衬底项目投产工作，同时启动配套新一期基础设施建设，匹配下游新能源、AI、AR等市场长期增长需求。 该8英寸碳化硅衬底生产基地落地杭州湾上虞...  [详内文]

AI算力越猛，第三代半导体越火
作者 |发布日期 2026 年 07 月 16 日 16:36 | 分类 化合物半导体
随着人工智能服务器GPU功耗的持续攀升，数据中心正迎来供电架构的历史性变革。当前，单机柜功率已从过去数十千瓦跃升至数百千瓦级别，而业界普遍认为，兆瓦级机柜将在不久的将来成为现实。 这一趋势不仅直接拉动了GPU的出货需求，更从根本上改变了数据中心的能源管理逻辑——当系统功率密度急剧...  [详内文]

韩国大尺寸SiC MOSFET获新进展
作者 |发布日期 2026 年 07 月 16 日 16:25 | 分类 碳化硅SiC
7月15日，韩国媒体《首尔新闻》报道，韩国功率半导体设计企业RootSemicon与碳化硅专业晶圆制造商SK Powertec联合研发的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET取得关键进展，芯片首轮工程流片平均良率达到80%。 双方于今年4月正式签署SiC MOSFET晶圆...  [详内文]

超7亿元融资，投向SiC产业
作者 |发布日期 2026 年 07 月 16 日 15:15 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，广东芯聚能半导体有限公司联合广东芯粤能半导体有限公司宣布完成D轮配套股权融资交割，本轮融资总额超过7亿元人民币。融资由万联天泽旗下天泽晶芯基金领投，上海云泽锦沃、西交一八九六两大机构跟投。此次融资吸引了产业资本、私募基金及高校科创资本三方共同参与，资金将用于进一步推动第三代...  [详内文]

长晶科技牵头筹建江苏省新型功率半导体重点实验室
作者 |发布日期 2026 年 07 月 15 日 14:41 | 分类 功率
7月11日，江苏省科技厅公示首批企业主导省级重点实验室筹建名单，江苏长晶科技股份有限公司牵头、联合南京邮电大学共建的“江苏省新型功率半导体重点实验室”正式入选筹建序列。 图片来源：公示名单截图 实验室面向能源转型、集成电路自主可控需求，瞄准新型功率半导体共性技术瓶颈，规划四大核...  [详内文]

碳化硅加速渗透电机驱动，芯朋微推全系列半桥智能功率模块
作者 |发布日期 2026 年 07 月 15 日 14:36 | 分类 产业 , 碳化硅SiC
在“双碳”目标与能效标准日趋严格的双重压力下，电机驱动行业正站在技术路线的分岔口。IE5能效等级、20kHz以上开关频率、持续攀升的功率密度——这三重诉求已将传统硅基器件的性能储备消耗殆尽。碳化硅凭借更宽的禁带、更强的击穿场强和更优的热导率，正在高压、高频、高温的应用场景中展现出...  [详内文]

这家碳化硅衬底厂商IPO进入问询阶段，华为哈勃投了
作者 |发布日期 2026 年 07 月 15 日 14:33 | 分类 企业
7月14日，上交所官网更新审核进度，北京天科合达半导体股份有限公司科创板IPO审核状态变更为“已问询”。本次上市保荐机构为中金公司，IPO申请于6月30日正式获上交所受理。根据招股申报文件，公司计划募集资金27.8亿元，资金主要投向8英寸、12英寸碳化硅衬底产业化项目、碳化硅外延...  [详内文]