氮化镓嵌单晶金刚石散热技术取得突破

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 10 日 15:00 | 分类 氮化镓GaN | edit

2026年6月8日，美国麻省理工学院（MIT）官方发布消息，该校研究团队成功将氮化镓（GaN）晶体管嵌入超薄单晶金刚石层，攻克高功率无线芯片散热瓶颈，研制出性能创纪录的无线功率放大器。相关研究成果已于2026年IEEE国际微波研讨会（IMS）上正式发布，为6G通信、卫星互联网等高...  [详内文]

这家上市企业跨界布局磷化铟，拟3亿元投建两期项目

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 10 日 14:57 | 分类 磷化铟 | edit

2026年6月8日晚间，精细化工企业宿迁联盛科技股份有限公司发布公告，披露与自然人朱蓉辉、汇智光芯人工智能科技（苏州）有限公司签署《合资意向协议》，拟共同出资设立合资公司，正式跨界进军磷化铟衬底研发、生产与销售领域。 根据公告，合资公司注册资本1000万元，宿迁联盛出资700万元...  [详内文]

安意法半导体项目迎新进展

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 10 日 14:34 | 分类 企业 , 化合物半导体 | edit

“重庆建工三建”官微消息，近日，由该公司承建的安意法半导体项目V2/V3配套工程顺利完成全部建设任务，并正式移交甲方后续分包单位，为安意法半导体项目整体竣工及核心生产线调试投产奠定了坚实基础。 据悉，该公司承建的V2/V3配套工程是安意法半导体项目的节点工程之一。安意法半导体项目...  [详内文]

聚焦工业航空国防领域，两巨头达成高压碳化硅战略合作

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 09 日 15:21 | 分类 碳化硅SiC | edit

美国东部时间2026年6月8日，通用电气航空航天（GE Aerospace）与全球碳化硅（SiC）半导体龙头企业Wolfspeed联合宣布签署一项谅解备忘录（MOU）。双方将围绕高压碳化硅技术展开全面的战略协作，旨在共同加速该项前沿技术在工业、航空航天及国防（A&D）市场...  [详内文]

大疆发布首款140W氮化镓快充充电器

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 09 日 15:17 | 分类 氮化镓GaN | edit

6月8日，大疆发布品牌首款高效能氮化镓快充充电器POWER 140W。该充电器采用第三代氮化镓（GaN）芯片，机身尺寸68.3mm×32.2mm×64mm，重量约245g，搭配折叠式插头设计，便于收纳携带。 作为第三代半导体材料，氮化镓现已广泛应用于大功率快充设备。相较于传统硅基...  [详内文]

国内车企发布SiC MOSFET领域关键技术成果

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 09 日 15:10 | 分类 碳化硅SiC | edit

在近期举行的国际功率半导体器件与集成电路会议（ISPSD）上，理想汽车功率芯片团队发表了两篇论文，分别围绕SiC MOSFET芯片中极低概率工艺缺陷的识别与拦截方法，以及考虑温度变化影响的芯片寿命预测模型展开。两项研究基于大量测试数据，揭示了传统测试方法可能高估芯片寿命的问题，并...  [详内文]

西安奕材拟增资珠海奕源、重庆欣晖，加码碳化硅功率模组载板及部件

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 08 日 15:05 | 分类 企业 | edit

近日，西安奕材接连发布公告，拟使用自有资金，分别向两家关联方——珠海奕源科技有限公司（以下简称“珠海奕源”）和重庆欣晖材料技术有限公司（以下简称“重庆欣晖”）进行增资，投资金额分别不超过4000万元和3000万元，分别参与珠海奕源的Pre-A+轮融资和重庆欣晖的B+轮融资。业界认...  [详内文]

国产氧化镓长晶装备落地验收

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 08 日 15:01 | 分类 氧化镓 | edit

6月8日，杭州富加镓业科技有限公司披露，公司自研VB法（坩埚下降法）氧化镓晶体生长装备已完成客户现场验收并正式交付。该设备在首次炉次试生产中，成功生长出完整氧化镓单晶，设备运行指标及工艺效果符合客户使用标准。 图片来源：富加镓业 据公开技术进展资料，富加镓业自2023年启动VB...  [详内文]

3家三代半及相关企业IPO获新进展

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 08 日 14:57 | 分类 企业 | edit

近期，国内多家第三代半导体及相关企业持续推进上市进程，产业链资本活跃度显著提升。其中，基本半导体三度递表冲击港股IPO，华太电子科创板IPO进入问询阶段，永志半导体顺利完成北交所上市辅导验收，展现了国内第三代半导体产业链不同环节的资本化进展。 01、基本半导体三度递表港交所 20...  [详内文]

6英寸0孪晶（001）主面氧化镓单晶，成功制备！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 06 月 05 日 14:39 | 分类 氧化镓 | edit

6月3日，据“山东国镓晶谷半导体科技有限公司”官微消息，该公司完成6英寸0孪晶（001）主面氧化镓单晶研制工作，经第三方权威机构检测验证，该款单晶综合晶体品质跻身国际领先层级，成为国内氧化镓大尺寸衬底领域又一项标志性产业化成果。 公开资料显示，国镓晶谷此前已完成4英寸规格氧化镓单...  [详内文]