践行绿色使命，天科合达获ISO14067碳足迹认证

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 29 日 15:25 | 分类 企业 | edit

在全球“双碳”目标不断推进的今天，科技企业不仅肩负技术创新的使命，更需以实际行动回应环保责任。作为第三代半导体碳化硅衬底领域的核心材料供应商，天科合达始终深知，产品的高效与节能特性本身就是对环境保护的重要贡献。但我们并未止步于此——我们更希望清晰衡量并管理产品全生命周期的碳足迹，...  [详内文]

5家企业SiC新品集中亮相

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 29 日 15:20 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

9月，碳化硅（SiC）领域新品动态频繁，英飞凌、罗姆半导体、方正微电子、茂睿芯、Wolfspeed等企业纷纷发力，陆续推出多款产品，覆盖功率器件、模块、材料等关键环节，应用场景涵盖光伏、储能、新能源汽车、工业设备等领域。 1、茂睿芯 9月22日，茂睿芯官微宣布，正式推出国内首款直...  [详内文]

美国能源部启动TRACE-Ga计划，助力构建本土镓供应链

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 28 日 19:13 | 分类 化合物半导体 | edit

近日，美国能源部（DOE）化石能源和碳管理办公室正式宣布启动镓回收和先进关键材料提取技术（TRACE-Ga）计划。 镓作为第三代半导体材料的核心原料，在新能源汽车、5G通信、光伏设备以及军事装备等众多关键领域发挥着不可替代的作用。随着全球对第三代半导体产品需求的持续攀升，镓的战略...  [详内文]

功率半导体领域再增两起重磅合作

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 28 日 19:06 | 分类 功率 | edit

近期，功率半导体领域合作动态不断，英飞凌与罗姆在碳化硅领域签署合作备忘录，就SiC功率器件封装展开合作并计划扩大合作范围；与此同时，烁科晶体与韩国EYEQ Lab、NAMUGA达成战略合作，在SiC衬底方面深度绑定。 英飞凌与罗姆达成碳化硅领域合作 近期，英飞凌宣布与罗姆就建立S...  [详内文]

这条12英寸SiC中试线正式通线！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 28 日 19:02 | 分类 碳化硅SiC | edit

9月26日，据晶盛机电官微宣布，其旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC首条12英寸碳化硅（SiC）衬底加工中试线正式通线。浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化。 图片来源：晶盛机电 据晶盛机电介绍，该中试线覆盖了晶体加工，...  [详内文]

中国科学院半导体研究所：氮化物片上光通信获突破

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 28 日 18:54 | 分类 化合物半导体 | edit

近日，中国科学院半导体研究所#宽禁带半导体 研发中心王军喜、魏同波研究员团队，与复旦大学沈超研究员、沙特国王科技大学李晓航副教授合作，制备出氮化物片上日盲光通信集成器件，并搭建了可以实时传输视频信号的片上光通信集成系统。 该研究成果以“III-Nitride Micro-Arra...  [详内文]

英诺赛科亮相PCIM Asia，集中呈现国内氮化镓最新成果

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 28 日 18:48 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

9月24日至26日，PCIM Asia展会（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会）如火如荼召开，全球氮化镓功率半导体领先企业英诺赛科（Innoscience）呈现了其最新的InnoGaN产品系列与多行业应用方案，吸引众多业内人士驻足交流。 PCIM Asia作为亚太地...  [详内文]

氮化镓产能进一步释放，两家厂商迎重大进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 28 日 18:39 | 分类 氮化镓GaN | edit

近期，氮化镓半导体领域发展势头强劲，山东镓数智能科技有限公司与东部高科DB HiTek分别传来重要消息。山东镓数氮化镓单晶衬底项目全面达产，在产能建设与市场拓展方面成果显著；与此同时，东部高科650V GaN HEMT工艺开发进入最终阶段，并计划推出专属氮化镓多项目晶圆项目，同时...  [详内文]

这家厂商全球首发8英寸低电阻碳化硅衬底

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 25 日 13:05 | 分类 碳化硅SiC | edit

在近期召开的国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM） 上，国内厂商天科合达全球首次公开发布了8英寸低电阻碳化硅衬底。 图片来源：天科合达 据悉，该低电阻衬底可将电阻率控制在7-12mΩ·cm范围内，仅为常规N型衬底电阻率的一半。层错缺陷控制是低电阻产品研发中的关键挑战，天科合达...  [详内文]

功率半导体大厂将进军氮化镓市场！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 25 日 13:04 | 分类 功率 , 氮化镓GaN | edit

在全球科技加速向清洁能源与智能化转型的浪潮中，功率半导体市场正迎来新一轮技术革新与产业变革。作为行业领军者，东芝电子元件近期动作频频，在碳化硅（SiC）、IGBT等领域持续深耕并取得显著成果后，又将战略目光投向了氮化镓（GaN）这一极具潜力的新兴领域。 东芝电子元件将进军氮化镓市...  [详内文]