10亿资本注入，这家碳化硅大厂进行产能扩张！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 23 日 13:34 | 分类 碳化硅SiC | edit

9月19日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（以下简称“瞻芯电子”）宣布完成全部C轮融资，融资总金额超过10亿元人民币。此次融资由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、北京市绿色能源和低碳产业基金、国际国方、国投IC基金、金石投资、海望资本、芯鑫等多家知名投资机构跟投。 图片来源：...  [详内文]

定档11.27，MTS2026存储产业趋势研讨会报名开启

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 22 日 18:32 | 分类 产业 , 展会 | edit

01、会议背景 随着AI浪潮席卷全球，存储领域正处在风云变幻、波澜壮阔的变革时代。这包括了技术的快速迭代、市场的激烈竞争、数据量的爆炸式增长，以及地缘政治对供应链的影响。在市场需求与技术演进的双重推动下，人工智能有望成为引领存储产业未来跃迁的核心引擎。 2025年全球存储产业在动...  [详内文]

10亿元投资，碳化硅涂层材料基地建设启动

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 22 日 17:12 | 分类 碳化硅SiC | edit

据“今日海沧”报道，近日，2025海沧区招商大会成功举办，现场共有45个高品质项目成功签约，总投资达285亿元，其中就包括深圳泰坦未来技术有限公司（以下简称“泰坦未来”）的高性能材料项目。 图片来源：今日海沧 据悉，泰坦未来计划投资10亿元建设高性能碳基、陶瓷基半导体复合材料产...  [详内文]

盛美上海、先为科技、北方华创齐发力，国产化合物半导体设备三连突破！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 22 日 17:11 | 分类 化合物半导体 | edit

随着电动汽车、5G/6G通信、射频和人工智能应用等领域的需求日益强劲，化合物半导体市场持续增长。近期，国内化合物半导体设备领域喜讯频传，包括盛美上海推出新设备、先为科技设备发货等，展现出国产设备正加速突围的势头。 盛美上海 9月18日，盛美上海官微宣布，推出首款专为宽禁带化合物半...  [详内文]

烟山科技率先打通8英寸硅基氮化镓MicroLED混合集成工艺

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 19 日 14:14 | 分类 氮化镓GaN | edit

近日，莫干山基金已投项目烟山科技在MicroLED核心制造工艺上取得了重大突破。该公司率先在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）平台上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工艺的全流程打通，并成功点亮了大尺寸MicroLED面板。 与传统键合集成工艺相比，Hybrid ...  [详内文]

华为碳化硅散热技术专利曝光

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 19 日 14:10 | 分类 碳化硅SiC | edit

华为近日公布了两项涉及碳化硅散热技术的专利，分别为《导热组合物及其制备方法和应用》和《一种导热吸波组合物及其应用》。 前者专利提供了一种导热组合物及其制备方法和应用。 图片来源：国家知识产权局专利信息截图 该导热组合物包括基体材料和导热填料；导热填料包括大粒径填料和小粒径填料，...  [详内文]

珂玛科技扩建，年产11000件半导体设备用碳化硅陶瓷部件！

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 19 日 14:03 | 分类 产业 , 碳化硅SiC | edit

市场最新消息显示，珂玛科技半导体设备用碳化硅陶瓷部件的扩建项目获最新进展。9月15日，滁州市人民政府发布了关于《安徽珂玛材料技术有限公司半导体设备用碳化硅材料及部件项目环境影响报告表》受理公示。 图片来源：滁州市人民政府官网公示截图 安徽珂玛材料技术有限公司计划在滁州市中新苏滁...  [详内文]

罗姆：搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:29 | 分类 碳化硅SiC | edit

9月17日，据罗姆半导体官微宣布，搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产。 据了解，作为电驱动总成系统的核心部件，此次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖，对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。这款高性能逆变砖突破电动汽车牵引逆变器领域通常支持的800V电压，可支持...  [详内文]

中镓半导体实现6/8英寸GaN衬底制备

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

近日，东莞市中镓半导体科技有限公司（以下简称“中镓半导体”）宣布取得重大技术突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化镓（GaN）单晶衬底的制备技术。 图片来源：中镓半导体 这一成果依托于#中镓半导体 自主研发的超大型氢化物气相外延设备（HVPE），不仅填补了国际上HVPE工艺在6英寸及...  [详内文]

捷捷微电/三安光电披露，碳化硅取得新进展

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:06 | 分类 碳化硅SiC | edit

近日，捷捷微电和三安光电在碳化硅领域的最新研发进展引发了行业关注。捷捷微电与中科院微电子研究所等合作研发碳化硅器件，目前处于小批量封测阶段；三安光电热沉散热用碳化硅材料研发进入送样阶段，其8英寸衬底准量产产品已进入主流新能源汽车企业供应链。 捷捷微电：携手科研机构，推进碳化硅器件...  [详内文]