相关资讯：氮化镓

国内首款6英寸碳化硅基氮化镓产品：下半年将有望实现出货
作者 |发布日期 2025 年 09 月 09 日 18:33 | 分类 氮化镓GaN
9月8日，据立昂微在投资者互动平台表示，立昂东芯6英寸碳化硅基氮化镓产品通过客户验证，下半年将有望实现出货，目前多应用在航空航天、大型通讯基站、高铁机车、防卫市场等领域。公司相比同行的竞争优势是公司的自动化产线与砷化镓兼容，可降低成本和故障率，技术方面柔和了PED在电力电子方面的...  [详内文]

台积电酝酿碳化硅散热新突破，X-FAB氮化镓代工再升级
作者 |发布日期 2025 年 09 月 05 日 13:46 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
当传统硅基半导体逐渐触及物理极限，第三代半导体日益受到重视。碳化硅、氮化镓等产品不仅在新能源汽车、5G通信以及光伏领域扮演关键角色，而且正推动产业从材料到设备、制造等领域的改革，吸引各路厂商积极布局。近期，台积电、X-FAB两家公司传出新进展。 台积电：计划将12英寸单晶碳化硅应...  [详内文]

GaN巨头换帅！曾就职于瑞萨、恩智浦、仙童
作者 |发布日期 2025 年 08 月 27 日 13:53 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
8月25日，全球氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体领域领军企业纳微半导体宣布，董事会聘任Chris Allexandre为公司总裁兼首席执行官，自2025年9月1日起生效，同时他将加入董事会。 图片来源：纳微半导体新闻稿截图 此次任命标志着公司管理层顺利交接，联合创...  [详内文]

华为最新披露，1200V全垂直GaN技术进展
作者 |发布日期 2025 年 08 月 25 日 13:38 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
华为公司与山东大学的研究团队近日联合宣布，他们在高压电力电子器件领域取得了重大突破。双方成功开发出一种1200V全垂直GaN-on-Si沟槽MOSFET，其核心技术创新——氟注入终端（FIT-MOS）技术——显著提升了器件的性能，使其达到了与成本高昂的GaN衬底器件相当的水平。这...  [详内文]

韩国650V氮化镓功率半导体，实现首次量产！
作者 |发布日期 2025 年 08 月 25 日 13:38 | 分类 氮化镓GaN
近日，韩国半导体公司ChipScale宣布，已经成功量产650V氮化镓功率半导体，成为韩国首家实现这一技术的公司。 ChipScale是一家韩国无晶圆厂（Fabless）半导体公司，位于京畿道，专注于氮化镓（GaN）功率半导体的设计与开发。据悉该公司的核心技术人员来自于韩国电子通...  [详内文]

英诺赛科第三代700V氮化镓全面上市
作者 |发布日期 2025 年 08 月 20 日 14:56 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
8月18日，英诺赛科宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市。 图片来源：英诺赛科 相较Gen2.5，英诺赛科Gen3产品核心性能实现跃升，具体包括： 芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计...  [详内文]

超过碳化硅！新型氮化镓晶体管已突破800℃高温
作者 |发布日期 2025 年 08 月 15 日 14:27 | 分类 氮化镓GaN
近日，由宾夕法尼亚州立大学电气工程教授Rongming Chu领导的研究团队，设计出了一种可在800 ℃下工作的氮化镓晶体管——足以熔化食盐的高温。这项技术突破不仅挑战了现有半导体材料的物理极限，更可能重塑极端环境下电子设备的设计逻辑。 传统硅基晶体管因带隙较窄（1.12eV），...  [详内文]

又一氮化镓厂商获亿元融资，为小米、联想供货！
作者 |发布日期 2025 年 08 月 13 日 14:51 | 分类 产业
据“科创板日报”报道，近日珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）完成亿元级B++轮融资，由北海山旁边独家投资。 镓未来的本轮融资资金将主要用于高压/大功率产品研发、供应链建设、业务拓展等方面。 镓未来成立于2020年，总部位于广东珠海，公司聚焦第三代半导体硅基氮化镓（GaN...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！
作者 |发布日期 2025 年 08 月 13 日 14:09 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]

深圳在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展！
作者 |发布日期 2025 年 08 月 12 日 13:49 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
“深圳国资”官微消息，近期由市属国企深重投集团与深圳市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。 国创中心首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果...  [详内文]