相关资讯：SiC碳化硅

应对中国厂商竞争，罗姆加速SiC研发
作者 |发布日期 2025 年 08 月 07 日 17:12 | 分类 碳化硅SiC
近期，罗姆半导体公布了2025财年一季度财报（2025年4月-6月）。该季，罗姆半导体实现营收1162亿日元，同比下滑1.8%，净利润为29亿日元，同比下滑14.3%。 图片来源：罗姆半导体 罗姆半导体表示，该季车用碳化硅器件销售保持稳健，但受客户调整因素影响，对外销售的SiC...  [详内文]

九峰山实验室宣布，碳化硅获得新突破！
作者 |发布日期 2025 年 08 月 07 日 17:09 | 分类 碳化硅SiC
8月6日，根据九峰山实验室官微消息，九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。 ...  [详内文]

纳微半导体透露碳化硅、氮化镓业务进展
作者 |发布日期 2025 年 08 月 06 日 14:12 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，纳微半导体公布2025年第二季度财报，同时该公司在财报会议中透露了碳化硅与氮化镓业务进展。 图片来源：纳微半导体官网新闻稿截图 据悉，英伟达已经与纳微半导体进行开发合作，以支持下一代 800V 数据中心。纳微半导体将在固态变压器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [详内文]

晶升股份推出SCML320A碳化硅外延炉
作者 |发布日期 2025 年 08 月 06 日 14:05 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
8月5日，晶升股份官微宣布成功开发出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉。 图片来源：晶升股份 据了解，晶升股份SCML320A碳化硅外延炉生长速率≥60μm/h，膜厚均匀性＜1%，掺杂均匀性＜2%，指标达到国际先进水平。此外，还支持N/P两种掺杂类型，可以满足不...  [详内文]

方正微电子、安世半导体发布最新碳化硅新品
作者 |发布日期 2025 年 08 月 06 日 13:42 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近期，碳化硅（SiC）技术领域迎来了一系列重要新品发布，其中安世半导体（Nexperia）以及方正微电子均推出了各自的新产品。 方正微电子：高性能碳化硅 MOS 功率模块发布 近日，深圳市重大产业投资集团有限公司旗下的深圳方正微电子有限公司（以下简称“方正微电子”）正式推出了一款...  [详内文]

月产2亿颗芯片，SiC/GaN封装工厂正式投产
作者 |发布日期 2025 年 08 月 04 日 14:25 | 分类 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
据滨海发布消息，8月1日，伯芯微电子（天津）有限公司（简称“伯芯微电子”）在天津经开区微电子创新产业园正式投产。 图片来源：滨海发布 根据预测，该项目达产后，预计月封装芯片产能在2亿颗以上，年收入将达到2亿元以上。 公开资料显示，伯芯微电子成立于2022年，由中科院微电子研究所...  [详内文]

徐州 “芯” 势力再升级！8英寸液相法碳化硅单晶成功
作者 |发布日期 2025 年 08 月 01 日 14:16 | 分类 碳化硅SiC
据徐州日报报道，近日，江苏集芯先进材料有限公司（以下简称“江苏集芯”）成功出炉首枚8英寸液相法（LPE）高质量碳化硅单晶。经检测，晶体面型、晶型与结晶质量均达到预期目标，标志着江苏集芯在第三代半导体核心材料领域再下一城，也为我国碳化硅产业链的自主可控写下关键一笔。 据了解，江苏集...  [详内文]

碳化硅大厂港股IPO通过聆讯
作者 |发布日期 2025 年 08 月 01 日 14:14 | 分类 碳化硅SiC
2025年7月30日，碳化硅大厂天岳先进通过聆讯，拟在香港主板上市，联席保荐人为中金公司、中信证券。 资料显示，天岳先进是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业之一，长期以来专注高质量碳化硅衬底的研发与产业化，2022年1月12日天岳先进在A股科创板上市，2025年2月该公司正式递表...  [详内文]

烁科晶体年产100万毫米碳化硅单晶项目正式启动
作者 |发布日期 2025 年 07 月 31 日 14:59 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
7月30日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目在山西太原正式启动，该项目由中国电子科技集团有限公司与山西省人民政府战略共建，旨在打造国内领先的碳化硅单晶生长产业基地。 图片来源：山西转型综改示范区 项目投产后，将新增100万毫米碳化硅...  [详内文]

国产碳化硅设备新突破，山东力冠发布大尺寸PVT设备
作者 |发布日期 2025 年 07 月 30 日 14:23 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，山东力冠于正式发布其12英寸PVT电阻设备及8英寸多坩埚设备，为8-12英寸SiC晶圆的规模化、稳定化、低成本制备树立了新的行业标杆。 山东力冠发布的12英寸PVT电阻设备及8英寸多坩埚设备，是碳化硅晶圆制备的核心工艺设备，可以决定了碳化硅晶锭的生长效率、质量和成本，与碳化...  [详内文]