近日,天成半导体官微宣布,依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料,12英寸N型碳化硅单晶材料晶体 有效厚度突破35mm厚。
据悉,天成半导体现已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺,且自研的长晶设备可产出直径达到350mm的单晶材...  [详内文]
国产12英寸SiC再传捷报 |
| 作者 KikiWang | 发布日期: 2025 年 10 月 16 日 18:27 | | 分类: 碳化硅SiC |
