7月23日,浙江晶越半导体有限公司宣布已成功研制出高品质12英寸SiC晶锭,这标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。
图片来源:浙江晶越半导体有限公司
2025年上半年,晶越半导体已经成功量产8英寸碳化硅衬底,后续持续投入并不断加大研发力度,并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以...  [详内文]
两家企业同步攻破,12英寸SiC衬底入局新玩家! |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 07 月 24 日 13:51 | 分类 企业 , 碳化硅SiC |