在第三代半导体产业加速推进的背景下,碳化硅(SiC)作为核心材料的技术创新持续突破。据集邦化合物半导体不完全统计,近期国内碳化硅领域共有7项关键专利集中公开或授权,覆盖衬底制备、功率器件结构、单晶生长设备及应用拓展等核心环节,其中衬底绝缘层创新、高精度光栅制备及热场控制技术成为亮...  [详内文]
芯粤能、顶立科技等7家企业公布SiC专利 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 01 月 13 日 15:41 | 分类 碳化硅SiC |
