文章分类： 功率

15亿，台湾8英寸氮化镓功率厂投资案通过

作者 | 发布日期: 2024 年 10 月 09 日 17:50 |
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10月4日，中国台湾科学园区审议会第19次会议召开，会中通过冠亚半导体股份有限公司（下文简称“冠亚”）投资议案。 据介绍，该案投资金额达15亿元新台币（折合人民币约3.29亿元），主要用来生产氮化镓功率元件相关产品。 资料显示冠亚为台亚半导体子公司，专注于氮化镓（GaN）功率技术...  [详内文]

碳化硅衬底及材料相关项目落地浙江

作者 | 发布日期: 2024 年 09 月 27 日 17:20 |
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据望潮客户端消息，9月25日，在第三届全球数字贸易博览会重大项目签约仪式上，台州市有4个项目签约，分别为碳化硅原材料及碳化硅衬底项目、AI数据研发总部及算力中心项目、年产130万套智能硬件终端设备制造项目、年产260万吨化学品及新材料一体化项目。 其中，碳化硅原材料及碳化硅衬底项...  [详内文]

6000万，氮化镓功率半导体公司完成Pre-A轮融资

作者 | 发布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:31 |
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近日，晶通半导体（深圳）有限公司（下文简称“晶通半导体”）成功完成了6000万元的Pre-A轮融资，此轮投资人包括了知名投资机构赛富投资基金、天使投资人，以及现有股东GRC富华资本的超额认购。公司未来将持续拓展产品矩阵，加速客户方案导入，以满足不同市场日益增长的需求。 晶通半导...  [详内文]

10亿，江苏新增一座6英寸功率晶圆厂

作者 | 发布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:27 |
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9月20日，昕感科技宣布，公司位于江苏江阴的晶圆厂顺利完成首批投片。这一重要里程碑标志着昕感科技晶圆厂正式迈入全面运营的新阶段。 source：昕感科技 集邦化合物半导体了解到，昕感科技6英寸功率半导体制造项目总计投资超10亿元，一期建设6英寸厂房，总建筑面积超4.5万平，核心...  [详内文]

8英寸碳化硅之争，正燃

作者 | 发布日期: 2024 年 09 月 20 日 16:14 |
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| 分类: 功率
放眼全球，碳化硅产业呈现美、欧、日三足鼎立的局面，受下游应用需求推动，碳化硅迈入加速发展期。目前来看，英飞凌、意法半导体、安森美、天岳先进、三安光电、罗姆等大厂持续布局碳化硅产能，稳固其市场地位，同时，产业链相关环节的其他玩家也加入了碳化硅竞争。在此之下，8英寸碳化硅成为各方攻略...  [详内文]

长飞先进武汉基地主体楼全面封顶

作者 | 发布日期: 2024 年 09 月 11 日 15:40 |
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9月10号晚，长飞先进宣布，公司武汉基地主体楼已全面封顶。 source：长飞先进 据悉，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，...  [详内文]

12英寸氮化镓，新辅助？

作者 | 发布日期: 2024 年 09 月 10 日 14:37 |
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| 分类: 功率
第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于近日开始供应样品。 图片来源：信越化学 从氮化镓生产上看，尽管GaN...  [详内文]

国内沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术有新突破

作者 | 发布日期: 2024 年 09 月 02 日 17:21 |
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| 分类: 功率
据南京发布近日消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时4年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。 source:江宁发布 公开资料显示，碳化硅是第三代半导体材料的主要代...  [详内文]

碳化硅争夺战：光伏龙头们已入局

作者 | 发布日期: 2024 年 08 月 29 日 17:29 |
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目前，碳化硅产业发展形势喜人，跨界布局碳化硅业务的玩家众多，包括长城汽车、吉利汽车等车企以及三安光电、博蓝特等LED厂商，除车企和LED厂商外，部分光伏厂商已成为跨界布局碳化硅的重要力量。 光伏龙头跨界布局碳化硅 据集邦化合物半导体观察，通威集团、合盛硅业、弘元绿能、高测股份、捷...  [详内文]