近日,国产设备商中微精仪宣布,已率先实现8英寸碳化硅激光剥离量产总损耗迈入40μm时代,打破行业长期以来60–80μm的损耗瓶颈,为国产大尺寸SiC产业化提供关键技术支撑。
图片来源:中微精仪
当前,碳化硅应用从新能源汽车、储能向先进封装、射频通信等高端领域延伸,8英寸凭借产能...  [详内文]
国产SiC激光剥离技术突破 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 14 日 14:26 | 分类 碳化硅SiC |
