文章分类: 企业

头部SiC企业二次递表港交所

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 17 日 10:32 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近日,港交所官网披露了瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司(以下简称“瀚天天成”)在港交所提交的上市申请,公司上市材料被正式受理,独家保荐人为中金公司。 图片来源:瀚天天成上市申请书截图 资料显示,瀚天天成成立于2011年,由碳化硅行业知名科学家赵建辉博士创立,是全球碳化硅外延...  [详内文]

净利润预计约10亿,扬杰科技发布前三季度预增公告

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 11 日 14:16 |
| 分类: 企业
近期,扬杰科技公司预计2025年前三季度实现归属于上市公司股东的净利润为9.37亿元—10.04亿元,同比增长40%—50%。预计2025年第三季度盈利3.35亿元—4.02亿元,同比增长37.31%—64.71%。 扬杰科技报告期内,半导体行业景气度持续攀升,汽车电子、人工智能...  [详内文]

总产能达20亿,汉京半导体新工厂正式投产

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 10 日 15:01 |
| 分类: 企业
据正帆科技官微宣布,10月9日,辽宁汉京半导体材料有限公司里达工厂(以下简称“汉京里达工厂”)新工厂高端产线正式投产,总产能达20亿。 图片来源:正帆科技 汉京半导体成立于2022年6月,是国内碳化硅耗材生产商、国内石英制品产业的头部供应商,主要产品包含石英管、石英舟、石英环、...  [详内文]

国内两家碳化硅相关厂商完成新一轮融资!

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 10 日 14:56 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
碳化硅作为第三代半导体的代表性材料,正成为推动新能源、工业控制等领域发展的核心力量,其战略意义与市场价值日益凸显,持续受到资本市场关注。近日,国内又有两家公司传出融资新动态。 01、超2亿元,瀚薪科技完成新一轮融资 近期,瀚薪科技瀚薪科技宣布完成超2亿元的新一轮融资。 瀚薪科技表...  [详内文]

Axcelis与Veeco宣布合并

作者 | 发布日期: 2025 年 10 月 09 日 15:49 |
| 分类: 企业
近期,Axcelis Technologies股份有限公司和Veeco Instruments股份有限公司宣布,两家公司已达成最终协议,以全股合并的方式合并,合并后的公司预计企业价值约为44亿美元。 该交易预计将于2026年下半年完成,但须经两家公司股东批准,获得所需的监管批准,...  [详内文]

官宣,Wolfspeed顺利完成财务重组

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 30 日 13:55 |
| 分类: 企业
美国东部时间9月29日,Wolfspeed宣布已成功完成其财务重整流程,并已退出美国《破产法》第11章的保护。 图片来源:Wolfspeed新闻稿截图 通过此次重整,Wolfspeed将其总债务削减了约70%,债务到期日延长至2030年,年度现金利息支出也随之降低了约60%。此...  [详内文]

践行绿色使命,天科合达获ISO14067碳足迹认证

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 29 日 15:25 |
| 分类: 企业
在全球“双碳”目标不断推进的今天,科技企业不仅肩负技术创新的使命,更需以实际行动回应环保责任。作为第三代半导体碳化硅衬底领域的核心材料供应商,天科合达始终深知,产品的高效与节能特性本身就是对环境保护的重要贡献。但我们并未止步于此——我们更希望清晰衡量并管理产品全生命周期的碳足迹,...  [详内文]

5家企业SiC新品集中亮相

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 29 日 15:20 |
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
9月,碳化硅(SiC)领域新品动态频繁,英飞凌、罗姆半导体、方正微电子、茂睿芯、Wolfspeed等企业纷纷发力,陆续推出多款产品,覆盖功率器件、模块、材料等关键环节,应用场景涵盖光伏、储能、新能源汽车、工业设备等领域。 1、茂睿芯 9月22日,茂睿芯官微宣布,正式推出国内首款直...  [详内文]

英诺赛科亮相PCIM Asia,集中呈现国内氮化镓最新成果

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 28 日 18:48 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
9月24日至26日,PCIM Asia展会(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会)如火如荼召开,全球氮化镓功率半导体领先企业英诺赛科(Innoscience)呈现了其最新的InnoGaN产品系列与多行业应用方案,吸引众多业内人士驻足交流。 PCIM Asia作为亚太地...  [详内文]

中镓半导体实现6/8英寸GaN衬底制备

作者 | 发布日期: 2025 年 09 月 18 日 14:26 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日,东莞市中镓半导体科技有限公司(以下简称“中镓半导体”)宣布取得重大技术突破,成功攻克6英寸及8英寸氮化镓(GaN)单晶衬底的制备技术。 图片来源:中镓半导体 这一成果依托于#中镓半导体 自主研发的超大型氢化物气相外延设备(HVPE),不仅填补了国际上HVPE工艺在6英寸及...  [详内文]