文章分类： 企业

日月光授予汉高2024最佳供应商：材料创新赋能可持续未来

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 11 日 11:48 |
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| 分类: 企业
近日，材料科学巨头汉高（Henkel）获全球领先的半导体封装和测试服务提供商日月光投资控股股份有限公司（ASE）颁发的2024年度最佳供应商奖。此次获奖，是汉高与日月光长期战略合作的重要里程碑，标志着双方在技术创新和绿色可持续发展方向的深度协同将迈入新的阶段。 以技术创新驱动行...  [详内文]

瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:56 |
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| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
近日，瞻芯电子与浙江大学在一场行业会议上联合发表了10kV等级SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界广泛关注。这一成果彰显了瞻芯电子在SiC功率器件领域的创新引领地位。 10kV等级SiC MOSFET器件在下一代智能电网、高压大容量功率变换系统等领域有广阔的应用场景。但...  [详内文]

借力IPO，基本半导体中山百万级SiC封装线项目获批

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:17 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
6月4日，广东省投资项目在线审批监管平台发布了基本半导体（中山）有限公司（以下简称“基本半导体”）年产100万只碳化硅模块封装产线建设项目备案公示，这一重大进展，与基本半导体此前5月27日向香港联合交易所递交上市申请的消息相呼应。 图片来源：广东省投资项目在线审批监管平台 此次...  [详内文]

稳懋半导体发布基于SiC衬底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术正迎来重大突破。近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术，预计2025年第三季度量产，这将显著提升高频射频电路性能，加速GaN技术在5G/...  [详内文]

瞄准车规级碳化硅，理想发表重要成果

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:53 |
关键字:
| 分类: 企业 , 碳化硅SiC
6月5日，理想汽车官方公众号发文表示，近期理想汽车在第37届ISPSD（功率半导体器件和集成电路国际会议）上发表了与车规级碳化硅相关的论文。 该篇论文来自理想汽车自研SiC芯片团队，论文题为《1200V汽车级碳化硅MOSFET芯片击穿电压离群芯片的分析与筛选技术研究》，展示了碳化...  [详内文]

国产首颗机器人关节“氮化镓驱动器芯片”正式商用

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
关键字:
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
近日，中科无线半导体有限公司正式宣布，其基于氮化镓（GaN）HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已成功推出并投入商用。该芯片作为中科半导体机器人动力系统芯片家族 “机器人关节驱动器芯片系列” 的重要一员，具备卓越性能，可有效满足高功率密度场景需求。 图片来源：中科半导体 ...  [详内文]

瑞萨电子：从SiC“断臂”到GaN战略性布局

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas）传出解散其碳化硅（SiC）团队，并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划，这一消息在半导体行业激起千层浪。 结合多方消息显示，目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市...  [详内文]

罗姆开发100V功率MOSFET新产品，适用于AI服务器

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:26 |
关键字:
| 分类: 企业 , 功率
6月3日，罗姆宣布开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET。 图片来源：罗姆半导体集团 新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已...  [详内文]

总投资2.65亿元，第四代金刚石半导体项目落户乌鲁木齐

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:22 |
关键字:
| 分类: 企业 , 半导体产业
6月4日，乌鲁木齐甘泉堡经济技术开发区（工业区）（以下简称“甘泉堡经开区”）与南京储芯电子科技有限公司、福建大卓控股有限公司正式签署协议，标志着总投资2.65亿元的第四代金刚石半导体项目正式落户。 图片来源：甘泉堡经开区零距离 据了解，该项目计划于2025年9月正式开工建设，并力...  [详内文]

总投资4.7亿元，成都高新区微波射频产业园项目启动建设

作者 | 发布日期: 2025 年 06 月 04 日 18:02 |
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| 分类: 企业 , 射频
成都高新区正全力打造“微波之都”，近日，据成都高新区管委会官方网站及《成都日报》消息，其核心项目——微波射频产业园西区已于近日正式启动建设。该项目总投资达4.7亿元，聚焦“制造基地+测试认证中心”功能，旨在进一步补强区域产业链条，抢占微波射频产业技术创新高地。 图片来源：成都...  [详内文]