文章分类： 碳化硅SiC

国内首套！全国产碳化硅器件双向超充桩面世

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 14 日 14:06 |
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| 分类: 碳化硅SiC
据“南方电网报”报道，近日由广东电网公司佛山供电局生产指挥中心技术团队研发的全国首套“基于全国产化碳化硅器件的360千瓦/800伏特双向超充桩”通过新产品技术鉴定。 据介绍，该成果实现了三大突破：全国产化替代、充电效率跃升至98%、充电速度高达“5分钟续航200公里”，填补了国产...  [详内文]

台积电宣布退出/调整6、8英寸产能，SiC、GaN受关注！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 13 日 14:09 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圆代工龙头台积电（TSMC）披露，董事会已决定在未来两年内逐步退出6英寸晶圆制造业务，并持续整并8英寸晶圆产能。此举对第三代半导体的碳化硅和氮化镓产生了不同程度的影响。 台积电在声明中指出，此项决定不会影响公司先前公布的财务目标，即2025年美元营收将增长约30...  [详内文]

深圳在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 12 日 13:49 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
“深圳国资”官微消息，近期由市属国企深重投集团与深圳市科技创新局联合打造的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（以下简称“国创中心”）在氮化镓/碳化硅集成领域取得突破性进展。 国创中心首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一成果...  [详内文]

Wolfspeed、英诺赛科动态，涉及碳化硅、氮化镓新品

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 17:05 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
第三代半导体领域，Wolfspeed与英诺赛科近日推出创新产品——Wolfspeed发布第四代1200V车规级碳化硅MOSFET，英诺赛科推出全球首款100V氮化镓低边驱动IC，双双发力，为新能源汽车动力系统与电池管理生态注入新动能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V车...  [详内文]

国际首次突破！深圳平湖实验室攻克GaN/SiC单片集成技术瓶颈

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
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| 分类: 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖实验室官微宣布，深圳平湖实验室近日在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延。 据了解，该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混合器件的发...  [详内文]

中芯国际：未来将配合建立SiC、GaN等第三代半导体产能

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯国际联合CEO赵海军在业绩会上表示，公司未来将根据国际客户的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）等第三代半导体产能。 这一战略举措标志着中芯国际在第三代半导体领域的进一步拓展，旨在满足国内市场对高端半导体产品的需求，...  [详内文]

英国这家初创公司，凭两大新专利进军GaN与SiC市场

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
关键字: ,
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
随着宽禁带半导体领域部分核心专利陆续到期，一场技术创新的浪潮正悄然兴起。英国初创公司#栅源漏半导体（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住这一历史机遇，正专注于研发新一代的专利保护型宽禁带半导体材料与器件。该公司计划在未来2-3年内，推出垂直...  [详内文]

应对中国厂商竞争，罗姆加速SiC研发

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:12 |
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| 分类: 碳化硅SiC
近期，罗姆半导体公布了2025财年一季度财报（2025年4月-6月）。该季，罗姆半导体实现营收1162亿日元，同比下滑1.8%，净利润为29亿日元，同比下滑14.3%。 图片来源：罗姆半导体 罗姆半导体表示，该季车用碳化硅器件销售保持稳健，但受客户调整因素影响，对外销售的SiC...  [详内文]

九峰山实验室宣布，碳化硅获得新突破！

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:09 |
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| 分类: 碳化硅SiC
8月6日，根据九峰山实验室官微消息，九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型MOSFET功率器件的产业发展。 ...  [详内文]

纳微半导体透露碳化硅、氮化镓业务进展

作者 | 发布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
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| 分类: 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，纳微半导体公布2025年第二季度财报，同时该公司在财报会议中透露了碳化硅与氮化镓业务进展。 图片来源：纳微半导体官网新闻稿截图 据悉，英伟达已经与纳微半导体进行开发合作，以支持下一代 800V 数据中心。纳微半导体将在固态变压器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [详内文]